漂流蛙-发现好工作
香港 2023-04-24 18:23:22 评分

华虹半导体有限公司简介

华虹半导体有限公司(「华虹半导体」或「公司」,股份代号:1347.HK)是全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业,专注於非易失性存储器、功率器件、模拟及电源管理和逻辑及射频等「8英寸+12英寸」特色工艺技术的持续创新,先进「特色IC+PowerDiscrete」强大的工艺技术平台有力支持物联网等新兴领域应用,其卓越的质量管理体系亦满足汽车电子芯片生产的严苛要求。华虹半导体是华虹集团的一员,而华虹集团是以集成电路制造为主业,拥有「8英寸+12英寸」生产线先进工艺技术的企业集团。华虹半导体在上海金桥和张江建有三座8英寸晶圆厂(华虹一厂、二厂及三厂),月产能约18万片;同时在无锡高新技术产业开发区内有一座月产能6.5万片的12英寸晶圆厂(华虹七厂),是国内领先的12英寸功率器件代工生产线。华虹半导体提供多种1.0微米至65/55纳米技术节点的可定制工艺选择。公司的非易失性存储器技术具有高度的安全性、可靠性、成本效益及技术精细度,令华虹半导体成为智能卡及微控制器等多种快速发展的非易失性存储器应用的首选晶圆代工企业之一。在功率器件技术方面公司亦拥有强大的能力和丰富的量产经验,拥有一座专门制造功率器件产品的晶圆厂。透过灵活及可定制的制造平台,公司可满足各种客户的特定需求。华虹半导体是客户信赖的技术及制造伙伴,为多元化的客户制造其设计规格的芯片,客户包括集成器件制造商,系统及无厂半导体公司。考虑到工艺的性能、成本及制造良率,公司亦提供设计支持服务,以便对复杂的设计进行优化。目前公司生产的芯片已被广泛应用於不同市场(包括电子消费品、通讯、计算机、工业及汽车)的各种产品中。


公司历史沿革如下:


1997年华虹NEC成立


1999年华虹NEC成功试产DRAM生产线


2000年Grace Cayman成立上海宏力


2003年华虹NEC开始其代工服务


上海宏力开始生产0.20μm计算机芯片


上海宏力开始生产0.25/0.18μm独立NOR型闪存芯片


2004年上海宏力开始用0.25μm嵌入式闪存工艺技术生产汽车发动机控制器芯片


2005年华虹半导体在香港注册成立为华虹NEC的控股公司


华虹NEC开始用嵌入式EEPROM工艺技术生产中国居民身份证芯片


2006年华虹NEC获得Cypress的0.13μm SONOS技术许可,用於生产嵌入式闪存芯片


上海宏力获得Silicon Storage Technology, Inc.(SST)的SuperFlash技术许可,用於生产嵌入式闪存芯片


2007年华虹NEC开始用0.35μm BCD工艺技术生产芯片


上海宏力开始用0.18μm工艺技术生产嵌入式闪存芯片


2008年华虹NEC开始用0.13μm SONOS技术生产嵌入式闪存芯片


2009年上海宏力开始生产0.13μm 逻辑与微控制器和0.12μm NOR型闪存芯片


2010年华虹NEC开始用0.18μm BCD工艺技术生产芯片


上海宏力开始基於Superflash技术生产0.13μm嵌入式闪存芯片


2011年华虹NEC的功率MOSFET累计出货量超过二百万片晶圆


上海宏力及华虹NEC以SuperFlash为基础的集成电路的累计出货量超过一百万片晶圆


华虹NEC开始用600V SJNFET及1200V NPT IGBT工艺技术生产芯片


华虹半导体与Grace Cayman之间的合并已完成


2012年上海宏力与华虹NEC用0.13μm工艺技术生产的SIM卡芯片年出货量达到约18亿颗


2013年根据合并进行的集团内公司间重组已基本完成


华虹宏力交付移动应用磁力传感器样品


2014年华虹半导体2014年10月15日在香港联合交易所主板上市


公司SIM卡芯片出货量达26.6亿张,占全球50%市场份额


2015年公司三座Fab总产能提升至每月14.6万片,专注於功率器件的Fab 2 单月产出创5万片历史新高


公司开始用0.11μm ULL 嵌入式闪存工艺生产芯片


公司开始用0.2μm射频SOI 工艺生产芯片


2016年公司90nm嵌入式闪存工艺平台成功量产


采用公司eNVM技术制造的金融IC卡芯片产品分获国际CC EAL5+和EMVCo安全证书,以及万事达CQM认证


2017年公司DT-SJ工艺平台累计出货量超过25万片晶圆


公司功率器件平台累计出货量超过500万片晶圆


基於95nm OTP工艺平台的首颗MCU开发成功


2018


华虹无锡一期项目12英寸生产线启动建设


华虹宏力年出货量首次突破200万片晶圆


2019


华虹无锡一期项目12英寸生产线建成投片


华虹无锡项目荣获LEED v4认证金奖


华虹无锡90nm嵌入式闪存首批产品交付


2020


华虹无锡首批功率器件产品交付


华虹宏力推出90nm超低漏电嵌入式闪存工艺平台


高性能90nm BCD工艺平台在华虹无锡量産


2021


12英寸55nm嵌入式闪存工艺平台量产


车规级IGBT和12英寸IGBT量产


2022


12英寸平台累计出货100万片


更详细信息,可登录公司官网查询:


www.huahonggrace.com


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