公司简介

无锡新洁能股份有限公司(以下简称“公司”)成立于2013年1月,拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体三家全资子公司以及深圳分公司、宁波分公司。公司成立以来即专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售,产品优质且系列齐全,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域;未来随着云计算、大数据、智能电网、无人驾驶等领域的蓬勃发展,公司产品将在该等新兴领域发挥重要作用。公司为国内MOSFET等半导体功率器件设计领域领军企业,2016年以来连续五年名列“中国半导体功率器件十强企业”。公司已建立江苏省功率器件工程技术研究中心、江苏省企业研究生工作站、东南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心、江南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心。公司参与的“智能功率驱动芯片设计及制备的关键技术与应用”项目获得了2019年度江苏省科学技术一等奖,且获得2020年度国家级技术发明奖。截至目前,公司拥有163项专利,其中发明专利48项;同时公司参与在IEEE,TDMR等国际知名期刊中发表论文13篇,其中SCI收录论文7篇。2021年6月,公司荣列“福布斯2021中国最具创新力企业榜TOP50”。公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发先进产品,是国内率先掌握超结理论技术,并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业之一,是国内提前早在12英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET、屏蔽栅MOSFET量产的企业,也是国内MOSFET品类齐全且产品技术先进的公司。同时,公司是国内较早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品平台的本土企业之一,产品电压已经覆盖了12V~1700V的全系列产品、达1500余种,为国内MOSFET等功率器件市场占有率排名前列的本土企业。公司将进一步依托技术、品牌、渠道等综合优势,结合大尺寸晶圆芯片(8英寸、12英寸)先进工艺技术,开拓国际先进功率器件封装制造技术,全力推进高端功率MOSFET、IGBT、集成功率器件的研发与产业化,持续布局半导体功率器件先进前沿的技术领域,并投入对SiC/GaN宽禁带半导体、智能功率器件的研发及产业化,提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。2020年9月28日,公司在上交所主板完成挂牌,证券代码:605111。

主营业务

MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售,公司销售的产品按照是否封装可以分为芯片和功率器件

行业划分：电子

企业性质：民营企业

总部地址：无锡市新吴区电腾路6号

联系电话：0510-85629718,0510-85618058-8101

官网地址：www.ncepower.com